Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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P50N03LD

P50N03LD
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P50N03LD. C(in): 1200pF. Costo): 600pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 50A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 15m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 20V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.

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IPD50N03S2L-06

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IPD50N03S2L-06
C(in): 1900pF. Costo): 760pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 27uA. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: PN03L06. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. Rds sulla resistenza attiva: 7.6m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: OptiMOS® Power-Transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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C(in): 1900pF. Costo): 760pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 40 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 27uA. ID (min): 0.01uA. Marcatura sulla cassa: PN03L06. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 136W. Rds sulla resistenza attiva: 7.6m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: OptiMOS® Power-Transistor. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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