FQD30N06L

FQD30N06L. C(in): 800pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. Id(imp): 96A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 30N06L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 44W. Rds sulla resistenza attiva: 0.031 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.