Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FQD19N10L

FQD19N10L
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FQD19N10L. C(in): 670pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. Id(imp): 62.4A. ID (T=100°C): 9.8A. ID (T=25°C): 15.6A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Equivalenti: FQD19N10LTM. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.074 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 20 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.

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C(in): 800pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 140 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. Rds sulla resistenza attiva: 0.105 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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