P75N02LD

P75N02LD. C(in): 5000pF. Costo): 1800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 37 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 170A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 75A. Ids: 25uA. Idss (massimo): 75A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 5M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( D-PAK ). Voltaggio Vds(max): 20V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.