Transistor

C(in): 9pF. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 75. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW3281. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3P. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NJW21193G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 16A. Dissipazione massima Ptot [W]: 200W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP

C(in): 9pF. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Data di produzione: 201452 201512. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW1302. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 6400pF. Costo): 465pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 42 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 328A. ID (T=25°C): 82A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 82N055. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 142W. Rds sulla resistenza attiva: 4.1m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: transistor MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): MP-25ZP. Voltaggio Vds(max): 55V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 900. Spec info: transistor MOSFET. Protezione GS: NINCS

C(in): 707pF. Costo): 224pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 42 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 20N6LG. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. Rds sulla resistenza attiva: 0.039 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 9.6 ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 2. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20N06LG. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 50 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 990pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 20P06LG. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 50 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1190pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 500pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: NT2955. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Rds sulla resistenza attiva: 0.155 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NT2955G. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 750pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 55W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 500pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 50us. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: NT2955. Pd (dissipazione di potenza, massima): 55W. Rds sulla resistenza attiva: 0.155 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 26 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 2. Funzione: ID pulse 36A/10ms. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.084 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Funzione: ID pulse 45A/10us. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 55094G

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 29W. Rds sulla resistenza attiva: 0.122 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Funzione: ID pulse 27A/10us. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 3150G

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.089 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251 ( I-Pak ). Voltaggio Vds(max): 60V. Nota: 55L104G. Funzione: livello logico, ID impulso 45A/10us. Quantità per scatola: 1

C(in): 316pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 35 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.089 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 9.2 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: livello logico, ID impulso 45A/10us. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 55L104G. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-252. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 55L104G. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 40 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 440pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 4490pF. Costo): 952pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 34 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 230A. ID (T=100°C): 96A. ID (T=25°C): 124A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 4804NG. Pd (dissipazione di potenza, massima): 107W. Rds sulla resistenza attiva: 3.4M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 24 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 4804NG. Spec info: ID pulse 230A. Protezione GS: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementare (coppia) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementare (coppia) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 510pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: rotolo. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 20 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (massimo): 25uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 446. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): TSOP-6. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 12V. Vgs(esimo) min.: 0.6V. Numero di terminali: 6. Funzione: applicazioni per batterie agli ioni di litio, PC notebook. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 3000. Rds sulla resistenza attiva: 0.036 Ohms. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Protezione GS: NINCS

C(in): 4416pF. Costo): 296pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 28 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 472A. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 118A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 503W. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 40 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247-3L, CASE 340CX. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 19V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Tecnologia: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Funzione: UPS, convertitore CC/CC, inverter Boost. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 108A. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 53A. Marcatura sulla cassa: 4744N. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 47W. Rds sulla resistenza attiva: 7.6m Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8FL. Voltaggio Vds(max): 30 v. Funzione: ID pulse 108A/10ms. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 4744N

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 288A. ID (T=100°C): 138A. ID (T=25°C): 191A. Idss (massimo): 191A. Marcatura sulla cassa: 4833N. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 114W. Rds sulla resistenza attiva: 1.3M Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8FL. Voltaggio Vds(max): 30 v. Funzione: ID pulse 288A/10ms. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 4833N

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 208A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 104A. Idss (massimo): 104A. Marcatura sulla cassa: 4835N. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 63W. Rds sulla resistenza attiva: 2.9m Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8FL. Voltaggio Vds(max): 30 v. Funzione: ID pulse 208A/10ms. Quantità per scatola: 1. Nota: serigrafia/codice SMD 4835N

Costo): 135pF. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Realizzato per Grundig. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 34W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOT-199. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-199. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS