Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 5.17€ | 6.31€ |
2 - 2 | 4.91€ | 5.99€ |
3 - 4 | 4.65€ | 5.67€ |
5 - 9 | 4.39€ | 5.36€ |
10 - 19 | 4.29€ | 5.23€ |
20 - 29 | 4.19€ | 5.11€ |
30 - 30 | 3.83€ | 4.67€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.17€ | 6.31€ |
2 - 2 | 4.91€ | 5.99€ |
3 - 4 | 4.65€ | 5.67€ |
5 - 9 | 4.39€ | 5.36€ |
10 - 19 | 4.29€ | 5.23€ |
20 - 29 | 4.19€ | 5.11€ |
30 - 30 | 3.83€ | 4.67€ |
NTE130. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2.5 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementare (coppia) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 00:25.
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