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NJW1302

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NJW1302. C(in): 9pF. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 75. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW3281. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Costo): 1.7pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: hFE 45(min). Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL3281A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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MJW1302AG

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Transistor di potenza bipolare complementare. Data di produzione: 201446. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Tecnologia: Transistor bipolare di potenza. Spec info: transistor complementare (coppia) MJW3281A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Transistor di potenza bipolare complementare. Data di produzione: 201446. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Tecnologia: Transistor bipolare di potenza. Spec info: transistor complementare (coppia) MJW3281A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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