Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MJL1302A

MJL1302A
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1 - 1 7.90€ 9.64€
2 - 2 7.51€ 9.16€
3 - 4 7.11€ 8.67€
5 - 9 6.72€ 8.20€
10 - 19 6.56€ 8.00€
20 - 29 6.40€ 7.81€
30 - 35 6.16€ 7.52€
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MJL1302A. Costo): 1.7pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: hFE 45(min). Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL3281A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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Prodotti equivalenti :

Esaurito
2SA1302

2SA1302

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HIFI-NF-E. Corren...
2SA1302
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HIFI-NF-E. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3281
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HIFI-NF-E. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC3281
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NJW1302

NJW1302

C(in): 9pF. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Fun...
NJW1302
C(in): 9pF. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 75. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW3281. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
NJW1302
C(in): 9pF. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 75. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW3281. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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8.91€ IVA incl.
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2SA1943

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Costo): 360pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: si...
2SA1943
Costo): 360pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 15A. Marcatura sulla cassa: A1943 (O). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5200. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SA1943
Costo): 360pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 15A. Marcatura sulla cassa: A1943 (O). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC5200. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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