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2SC3281

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2SC3281. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: NF-E HI-FI. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1302. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Transistor di potenza bipolare complementare. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL1302A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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