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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V - 2SC3281

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V - 2SC3281
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V - 2SC3281. Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 200V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: NF-E HI-FI. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1302. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 19/04/2025, 20:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Costo): 200pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: C5200 (Q). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1943. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Costo): 200pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Marcatura sulla cassa: C5200 (Q). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1943. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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