Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

2SC5200

2SC5200
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 1 7.13€ 8.70€
2 - 2 6.78€ 8.27€
3 - 4 6.42€ 7.83€
5 - 9 6.06€ 7.39€
10 - 19 5.92€ 7.22€
20 - 29 5.78€ 7.05€
30 - 250 5.56€ 6.78€
Qnéuantità U.P
1 - 1 7.13€ 8.70€
2 - 2 6.78€ 8.27€
3 - 4 6.42€ 7.83€
5 - 9 6.06€ 7.39€
10 - 19 5.92€ 7.22€
20 - 29 5.78€ 7.05€
30 - 250 5.56€ 6.78€
Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!
Quantità in magazzino : 250
Set da 1

2SC5200. Costo): 200pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 15A. Marcatura sulla cassa: C5200 (Q). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1943. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

Prodotti equivalenti :

Quantità in magazzino : 148
MJL21194

MJL21194

Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: hFE=2...
MJL21194
Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO–3PBL. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL21193. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MJL21194
Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO–3PBL. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL21193. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Set da 1
9.66€ IVA incl.
(7.92€ Iva esclusa)
9.66€
Quantità in magazzino : 1
FJL4315-O

FJL4315-O

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno ...
FJL4315-O
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 17A. Marcatura sulla cassa: J4315O. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) FJL4215-O
FJL4315-O
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 17A. Marcatura sulla cassa: J4315O. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) FJL4215-O
Set da 1
7.00€ IVA incl.
(5.74€ Iva esclusa)
7.00€
Quantità in magazzino : 26
2SC5242

2SC5242

Costo): 200pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scato...
2SC5242
Costo): 200pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 15A. Marcatura sulla cassa: C5242. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1A. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1962. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SC5242
Costo): 200pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 15A. Marcatura sulla cassa: C5242. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): 2-16C1A. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1962. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Set da 1
3.01€ IVA incl.
(2.47€ Iva esclusa)
3.01€

Consigliamo inoltre :

Esaurito
2SA1962

2SA1962

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 25 MHz. Corrente del collettore: 15...
2SA1962
[LONGDESCRIPTION]
2SA1962
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.46€ IVA incl.
(1.20€ Iva esclusa)
1.46€
Quantità in magazzino : 1066
MPSA06

MPSA06

Resistenza BE: 10. Costo): 300pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. ...
MPSA06
[LONGDESCRIPTION]
MPSA06
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.17€ IVA incl.
(0.14€ Iva esclusa)
0.17€
Esaurito
2SB1659

2SB1659

Costo): 100pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: sili...
2SB1659
[LONGDESCRIPTION]
2SB1659
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
9.05€ IVA incl.
(7.42€ Iva esclusa)
9.05€
Quantità in magazzino : 28
2SC1845

2SC1845

Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Funzione: A...
2SC1845
[LONGDESCRIPTION]
2SC1845
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.10€ IVA incl.
(0.90€ Iva esclusa)
1.10€
Quantità in magazzino : 27
2SC4793

2SC4793

Costo): 20pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF...
2SC4793
[LONGDESCRIPTION]
2SC4793
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.27€ IVA incl.
(1.86€ Iva esclusa)
2.27€
Quantità in magazzino : 6
2SA1381

2SA1381

Costo): 3.1pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: si...
2SA1381
[LONGDESCRIPTION]
2SA1381
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.27€ IVA incl.
(1.04€ Iva esclusa)
1.27€
Quantità in magazzino : 83
2SC2240GR

2SC2240GR

Costo): 3pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno...
2SC2240GR
[LONGDESCRIPTION]
2SC2240GR
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.90€ IVA incl.
(0.74€ Iva esclusa)
0.90€
Quantità in magazzino : 96
2SC3423

2SC3423

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 0.05A. Pd (...
2SC3423
[LONGDESCRIPTION]
2SC3423
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
1.65€ IVA incl.
(1.35€ Iva esclusa)
1.65€
Quantità in magazzino : 204
CEL470UF25V-B

CEL470UF25V-B

Tensione CC: 25V. Capacità: 470uF. Diametro: 8mm. Durata di vita: 2000 ore. Lunghezza: 14mm. Config...
CEL470UF25V-B
[LONGDESCRIPTION]
CEL470UF25V-B
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.17€ IVA incl.
(0.14€ Iva esclusa)
0.17€

Informazioni e aiuto tecnico

Per telefono :

Pagamento e consegna

Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!

Iscriviti alla newsletter

Accetto di ricevere e-mail e capisco che potrò annullare l'iscrizione in qualsiasi momento dopo l'iscrizione.

Tutti i diritti riservati, RPtronics, 2024.