MJW1302AG

MJW1302AG. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Transistor di potenza bipolare complementare. Data di produzione: 201446. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Vebo: 5V. Tecnologia: Transistor bipolare di potenza. Spec info: transistor complementare (coppia) MJW3281A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 03:25.