Transistor

C(in): 702pF. Costo): 357pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 256ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Marcatura sulla cassa: 50R380. Pd (dissipazione di potenza, massima): 83W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 59.6ns. Td(acceso): 15.2ns. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Nota: Bassa perdita di potenza dovuta alla commutazione ad alta velocità e alla bassa resistenza in conduzione. Funzione: Stadi di alimentazione PFC, applicazioni di commutazione, controllo motori, convertitori CC-CC. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 890pF. Costo): 670pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 375 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Stadi di alimentazione PFC, applicazioni di commutazione, controllo motori, convertitori CC/CC. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Marcatura sulla cassa: 60R360P. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 31W. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: N-channel POWER MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: JD. Tensione drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1.6V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 16 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.36W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 7 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 45pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Costo): 9pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 350. Guadagno hFE minimo: 200. Corrente del collettore: 1.5A. Marcatura sulla cassa: Y1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Vebo: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A6A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.24W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A6E. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.24W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A8A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A8E. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.2W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: A8K. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.246W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 55 MHz. Funzione: coppia di transistor complementari. Guadagno hFE minimo: 5000. Corrente del collettore: 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218. Tipo di transistor: PNP & NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MPSA42. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MPSA92. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

Resistenza BE: 10. Costo): 300pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100MHz. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 500mA. Ic(impulso): 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MPSA06. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 10000. Guadagno hFE minimo: 5000. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Tecnologia: transistor Darlington. Tf(min): 125 MHz. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 10000. Corrente del collettore: 500mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor Darlington. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 45V. Corrente del collettore: 0.2A. Frequenza massima: 100 MHz. Alloggiamento: TO-92

Costo): 3pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.5A. Equivalenti: KSP42. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (ammo pak). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 500mV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) MPSA92. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 7pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 0.3A. Equivalenti: KSP44, CMPSA44. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (ammo pak). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 400mV. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 750mV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-TR. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.5A. Ic(impulso): 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92AMMO. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) MPSA06. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MPSA56. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 5000. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Condizionamento: rotolo. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Transistor ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2000. Spec info: transistor complementare (coppia) MPSA42. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MPSH10. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 5mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 650 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN