Transistor

Costo): 5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: UNI. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.6A. Marcatura sulla cassa: 1 P. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 75V. Spec info: SMD 1P. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1P. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1S. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 15V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2F. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 800mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.6A. Ic(impulso): 1.2A. Marcatura sulla cassa: 2F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1AM. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 300 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB (SMD). C(in): SOT-23. Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: UNI. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.2A. Marcatura sulla cassa: 1AM. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.2W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 40V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Spec info: SMD 1AM. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2A. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 200mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP. Marcatura sulla cassa: 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 2A

Costo): 80pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 0.6A. Ic(impulso): 0.9A. Marcatura sulla cassa: 2x. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 30 ns. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/codice CMS 2X. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2T. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 200 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.6A. Marcatura sulla cassa: 2T. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 30 ns. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2L. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP. Marcatura sulla cassa: 2 L. Equivalenti: MMBT5401LT1G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD (codice data 2Lx)

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2L. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 150V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 0.6A. Marcatura sulla cassa: G1. Equivalenti: MMBT5551LT1G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/codice SMD G1 (3S Fairchild). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G1. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1GM. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1GM. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.5A. Nota: 1D. Marcatura sulla cassa: 1D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 240mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) MMBTA92. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 1D. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2GM. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2GM. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

Costo): 170pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.5A. Nota: 2D. Marcatura sulla cassa: 2D. Equivalenti: PMBTA92.215. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MMBTA42. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2D. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.250W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2D. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor PNP

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 3EM. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 25V. Corrente collettore Ic [A], max.: 5mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 650 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN