MMBT2907ALT1G

Qnéuantità (Set da 10)	Iva esclusa	IVA incl.
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5 - 9	0.50€	0.61€
10 - 24	0.48€	0.59€
25 - 49	0.45€	0.55€
50 - 99	0.42€	0.51€
100 - 111	0.40€	0.49€

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Set da 10

MMBT2907ALT1G. Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.6A. Ic(impulso): 1.2A. Marcatura sulla cassa: 2F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 07:25.

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