Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V - MMBT5551

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V - MMBT5551
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Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V - MMBT5551. Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 60. Marcatura sulla cassa: G1. Equivalenti: MMBT5551LT1G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD G1 (3S Fairchild). Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore Yangjie Electronic Technology. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 22:25.

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2N5551

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Transistor NPN, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 0.6A. Custo...
2N5551
Transistor NPN, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 0.6A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 80. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 0.6A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 80. Ic(impulso): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.15V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V
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