Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

MJE15031G

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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 2.03€ 2.48€
5 - 9 1.93€ 2.35€
10 - 24 1.83€ 2.23€
25 - 49 1.73€ 2.11€
50 - 99 1.72€ 2.10€
100 - 132 1.75€ 2.14€
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MJE15031G. Alloggiamento: TO-220. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -150V. C(in): -8A. Costo): 50W. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15030G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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MJE15031

MJE15031

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore...
MJE15031
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MJE15031
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Set da 1
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1.88€

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