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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V - MJE15031

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V - MJE15031
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V - MJE15031. Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 06:25.

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Transistor NPN, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V. Alloggiamento: TO-220. Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -150V. C(in): -8A. Costo): 50W. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15030G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V. Alloggiamento: TO-220. Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -150V. C(in): -8A. Costo): 50W. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15030G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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