2SB649A

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 4	1.44€	1.76€
5 - 9	1.37€	1.67€
10 - 24	1.29€	1.57€
25 - 49	1.22€	1.49€
50 - 99	1.19€	1.45€
100 - 146	1.02€	1.24€

Qnéuantità	U.P
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5 - 9	1.37€	1.67€
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Set da 1

2SB649A. Costo): 27pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD669A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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