Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MJE350-ONS

MJE350-ONS
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5 - 9 0.84€ 1.02€
10 - 24 0.79€ 0.96€
25 - 49 0.75€ 0.92€
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MJE350-ONS. C(in): 7pF. Costo): 110pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.5A. Equivalenti: KSE350. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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MJE350

MJE350

Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE350. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 3...
MJE350
Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE350. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -300V. Corrente del collettore: -0.5A. Potenza: 20.8W. Alloggiamento: TO-126. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
MJE350
Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE350. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -300V. Corrente del collettore: -0.5A. Potenza: 20.8W. Alloggiamento: TO-126. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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Stato di base: Chiuso. Durata di vita: na.. Funzione: interruttore termico bimetallico (termostato)....
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Stato di base: Chiuso. Durata di vita: na.. Funzione: interruttore termico bimetallico (termostato)....
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Stato di base: Chiuso. Durata di vita: na.. Funzione: interruttore termico bimetallico (termostato)....
67L110
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67F070
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