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Transistor NPN, 0.5A, TO-225, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE350-ONS

Transistor NPN, 0.5A, TO-225, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE350-ONS
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Transistor NPN, 0.5A, TO-225, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - MJE350-ONS. Transistor NPN, 0.5A, TO-225, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 0.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). C(in): 7pF. Costo): 110pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Equivalenti: KSE350. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 03:25.

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Transistor NPN, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Tensione collettore-emettitore VCEO: -300V. Corrente del collettore: -0.5A. Alloggiamento: TO-126. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE350. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Potenza: 20.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340
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