Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MJE350

MJE350
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1 - 4 0.52€ 0.63€
5 - 9 0.49€ 0.60€
10 - 24 0.47€ 0.57€
25 - 49 0.44€ 0.54€
50 - 99 0.43€ 0.52€
100 - 249 0.45€ 0.55€
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MJE350. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE350. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -300V. Corrente del collettore: -0.5A. Potenza: 20.8W. Alloggiamento: TO-126. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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MJE350-ONS

MJE350-ONS

C(in): 7pF. Costo): 110pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. ...
MJE350-ONS
C(in): 7pF. Costo): 110pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.5A. Equivalenti: KSE350. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MJE350-ONS
C(in): 7pF. Costo): 110pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.5A. Equivalenti: KSE350. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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MJE340-ONS

MJE340-ONS

Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-...
MJE340-ONS
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2N5551
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2N5401

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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. ...
2N5401
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Costo): 60pF. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor D...
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SN65HVD3082ED

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2SC2344

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Costo): 30pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100MHz. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE...
2SC2344
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2SC2344
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2SA940

2SA940

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2SA940
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2SA940
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1.29€ IVA incl.
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2SA1302

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2SA1302
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