Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MJE15030G

MJE15030G
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25 - 49 1.70€ 2.07€
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MJE15030G. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 150V. Potenza: 50W. Frequenza massima: 30MHz. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031G. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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MJE15030

MJE15030

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore...
MJE15030
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MJE15030
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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MJE15032G

MJE15032G

Alloggiamento: TO-220. Marcatura del produttore: MJE15032G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]:...
MJE15032G
Alloggiamento: TO-220. Marcatura del produttore: MJE15032G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 30 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 250V. Corrente del collettore: 8A. Potenza: 50W. Frequenza massima: 30MHz. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15033
MJE15032G
Alloggiamento: TO-220. Marcatura del produttore: MJE15032G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 30 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 250V. Corrente del collettore: 8A. Potenza: 50W. Frequenza massima: 30MHz. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15033
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2SA1943

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2SA1943
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2SA1943
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2SC5200

2SC5200

Costo): 200pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Am...
2SC5200
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2SC5200
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2SA1837

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Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 70 MHz. Funzione: NF-...
2SA1837
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2SA1837
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1.42€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 6
2SA1123

2SA1123

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 220....
2SA1123
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2SA1123
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1.23€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 27
2SC4793

2SC4793

Costo): 20pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF...
2SC4793
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2SC4793
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2.27€ IVA incl.
(1.86€ Iva esclusa)
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IRFP9240

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C(in): 1200pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns....
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3.01€ IVA incl.
(2.47€ Iva esclusa)
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JF0825S1H-R

JF0825S1H-R

Alimentazione motore: corrente continua DC. Cuscinetto: sistema di cuscinetti scorrevoli. Voltaggio:...
JF0825S1H-R
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JF0825S1H-R
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7.26€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 28
2SD712

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 8 MHz. Corrente del collettore: 4A....
2SD712
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1.16€ IVA incl.
(0.95€ Iva esclusa)
1.16€
Quantità in magazzino : 267
BDX33C

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Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Guadagno hFE massimo: 750. Guadagno hFE minimo:...
BDX33C
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BDX33C
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