Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V - MJE15030G

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V - MJE15030G
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V - MJE15030G. Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031G. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 05:25.

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MJE15030

MJE15030

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custod...
MJE15030
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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MJE15032G

MJE15032G

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamen...
MJE15032G
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE15032G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 30 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15033. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE15032G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 30 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15033. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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2SA1943

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2SC5200

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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Corrente del collettore: 15A. Allo...
2SC5200
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2SA1837

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Transistor NPN, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-220FP. C...
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2SC4793

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Transistor NPN, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-220FP. C...
2SC4793
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IRFP9240

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Transistor a canale P, 12A, 500uA, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 500uA....
IRFP9240
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Transistor NPN, 4A, 100V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Q...
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BDX33C

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Transistor NPN, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. Corrente del collettore: 10A. Cu...
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