Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V - MJE15030G

Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V - MJE15030G
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Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V - MJE15030G. Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 150V. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 50W. Frequenza massima: 30MHz. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031G. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 03:25.

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MJE15030
Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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MJE15032G
Transistor NPN, TO-220, 8A, 250V, 8A, TO-220AB, 250V. Alloggiamento: TO-220. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Tensione collettore-emettitore VCEO: 250V. Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Marcatura del produttore: MJE15032G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 250V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 30 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 50W. Frequenza massima: 30MHz. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15033
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