Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V - MJE15030

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V - MJE15030
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5 - 9 1.40€ 1.71€
10 - 24 1.33€ 1.62€
25 - 49 1.26€ 1.54€
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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V - MJE15030. Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 06:25.

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Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 150V. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 50W. Frequenza massima: 30MHz. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031G
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Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 150V. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 50W. Frequenza massima: 30MHz. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: per amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 16A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE15031G
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