Transistor NPN, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V - BDX33C

Transistor NPN, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V - BDX33C. Transistor NPN, TO-220, 10A, TO-220AB, 100V. Alloggiamento: TO-220. Corrente del collettore: 10A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Resistenza B: 10k Ohms. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: 150 Ohms. C(in): TO-220. Costo): TO-220. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 2. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Guadagno hFE massimo: 750. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 15A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Spec info: transistor complementare (coppia) BDX34C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 2.5V. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 11:25.