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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V, -100V, -6A - TIP42C

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V, -100V, -6A - TIP42C
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 0.77€ 0.94€
5 - 9 0.73€ 0.89€
10 - 24 0.69€ 0.84€
25 - 49 0.66€ 0.81€
50 - 99 0.64€ 0.78€
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Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V, -100V, -6A - TIP42C. Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V, -100V, -6A. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tensione collettore-emettitore VCEO: -100V. Corrente del collettore: -6A. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP41C. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Potenza: 65W. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 06:25.

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Alloggiamento: sa...
BD244C
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD244C. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 15. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD243C
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD244C. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 15. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD243C
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Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Alloggiamento: TO-220. Corrente del collettore: 6A. Custod...
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Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Alloggiamento: TO-220. Corrente del collettore: 6A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -100V. C(in): -6A. Costo): 65W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD243C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Alloggiamento: TO-220. Corrente del collettore: 6A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -100V. C(in): -6A. Costo): 65W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD243C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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