Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.01€ | 1.23€ |
5 - 9 | 0.95€ | 1.16€ |
10 - 24 | 0.90€ | 1.10€ |
25 - 49 | 0.85€ | 1.04€ |
50 - 71 | 0.83€ | 1.01€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.01€ | 1.23€ |
5 - 9 | 0.95€ | 1.16€ |
10 - 24 | 0.90€ | 1.10€ |
25 - 49 | 0.85€ | 1.04€ |
50 - 71 | 0.83€ | 1.01€ |
2SD667. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: Amplificatore di potenza a bassa frequenza. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Nota: 9mm. Marcatura sulla cassa: D667. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Epitaxial. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB647. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.
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