Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

BD244C

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1 - 4 0.63€ 0.77€
5 - 9 0.60€ 0.73€
10 - 24 0.57€ 0.70€
25 - 49 0.53€ 0.65€
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BD244C. RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD244C. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Corrente collettore Ic [A], max.: 6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Frequenza di taglio ft [MHz]: 15. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD243C. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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Alloggiamento: TO-220. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -100V. C(in): -6A. Costo)...
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Alloggiamento: TO-220. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -100V. C(in): -6A. Costo): 65W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD243C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Alloggiamento: TO-220. Resistenza B: transistor di potenza. Resistenza BE: -100V. C(in): -6A. Costo): 65W. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 6A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD243C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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