Transistor

Costo): 3pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Corrente del collettore: 0.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Funzione: hFE 25...40. Quantità per scatola: 1. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 6pF. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 150000. Guadagno hFE minimo: 25000. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 12V. Funzione: High hFE. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 60pF. Costo): 6pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Corrente del collettore: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Resistenza B: transistor PNP. Resistenza BE: -30V. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 28V

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MTP2P50EG. Tensione drain-source Uds [V]: -500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ -1A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 24 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 42 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1183pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 75W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 410pF. Costo): 114pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 55.7 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: Transistor con controllo a livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: M50P03HDLG. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -50A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 117 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 4900pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AE. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MTW45N10E. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 50 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 170 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 5000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 180W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MTY100N10E. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 96 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 372 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 10640pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: transistor con rete di resistori di polarizzazione. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 0.1A. Marcatura sulla cassa: 8B. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 338mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor digitali (BRT). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Numero di terminali: 3. Nota: Panasonic NV-SD450. Nota: B1GBCFLL0035. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 8B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

C(in): 9pF. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1

C(in): 1373pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 395 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NDP6020P. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -0.7V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 30 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 250 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1590pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 60W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 25A. Idss (massimo): 25A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1

C(in): 2960pF. Costo): 1130pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 225A. ID (T=25°C): 75A. Idss (massimo): 75A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Rds sulla resistenza attiva: 0.013 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Quantità per scatola: 1

C(in): 79pF. Costo): 10pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 17 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.12A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 610. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 10 ns. Td(acceso): 2.5 ns. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Nota: serigrafia/codice SMD 610. Funzione: Interruttore di segnale piccolo a canale P controllato in tensione, design della cella ad alta densità per RDS basso (ON). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 195pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 1A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. IGF: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 8 ns. Alloggiamento: SSOT. Custodia (secondo scheda tecnica): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NDS352APRL. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 135pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NDS355AN_NL. Tensione drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 195pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Funzione: Doppio canale P e P da 60 V. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 2.3A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Quantità per scatola: 2. Unità di condizionamento: 2500. Spec info: 2xP-CH 60V

Funzione: Transistor MOSFET N. Numero di terminali: 8:1. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: 2xV-MOS. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Quantità per scatola: 2

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NDT452AP. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.8V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 50 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 690pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NDT456P. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.5A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 20 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 130 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1440pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 4.5pF. Costo): 10pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 75. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW0281. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS