Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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NDF10N60ZG

NDF10N60ZG
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5 - 9 2.05€ 2.50€
10 - 24 1.94€ 2.37€
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NDF10N60ZG. C(in): 1373pF. Costo): 150pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 395 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Regolatore di commutazione. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 00:25.

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STP10NK60ZFP

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C(in): 1370pF. Costo): 156pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 570 ns....
STP10NK60ZFP
C(in): 1370pF. Costo): 156pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P10NK60ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
STP10NK60ZFP
C(in): 1370pF. Costo): 156pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 570 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Zener-Protected. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P10NK60ZFP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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STF3NK80Z

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C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET....
STF3NK80Z
C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F3NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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C(in): 485pF. Costo): 57pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 384 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 50uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F3NK80Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Rds sulla resistenza attiva: 3.8 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 36ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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