Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.56€ | 0.68€ |
10 - 24 | 0.53€ | 0.65€ |
25 - 49 | 0.50€ | 0.61€ |
50 - 99 | 0.47€ | 0.57€ |
100 - 249 | 0.38€ | 0.46€ |
250 - 499 | 0.37€ | 0.45€ |
500 - 563 | 0.35€ | 0.43€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.56€ | 0.68€ |
10 - 24 | 0.53€ | 0.65€ |
25 - 49 | 0.50€ | 0.61€ |
50 - 99 | 0.47€ | 0.57€ |
100 - 249 | 0.38€ | 0.46€ |
250 - 499 | 0.37€ | 0.45€ |
500 - 563 | 0.35€ | 0.43€ |
NDS352AP. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: NDS352APRL. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 135pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 00:25.
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