NDS332P

NDS332P. C(in): 195pF. Costo): 105pF. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 1A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. IGF: 1A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.35 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 8 ns. Alloggiamento: SSOT. Custodia (secondo scheda tecnica): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 20V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 00:25.