MTP3055VL

MTP3055VL. C(in): 410pF. Costo): 114pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 55.7 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 9 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 15V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: Transistor con controllo a livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 00:25.