MUN2212

MUN2212. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: transistor con rete di resistori di polarizzazione. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 0.1A. Marcatura sulla cassa: 8B. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 338mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor digitali (BRT). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Numero di terminali: 3. Nota: Panasonic NV-SD450. Nota: B1GBCFLL0035. Quantità per scatola: 1. Spec info: serigrafia/codice SMD 8B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 00:25.