Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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NJW0281G. C(in): 4.5pF. Costo): 10pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 75. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 30A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW0281. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 00:25.

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MJL1302A

MJL1302A

Costo): 1.7pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scato...
MJL1302A
Costo): 1.7pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: hFE 45(min). Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL3281A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MJL1302A
Costo): 1.7pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: hFE 45(min). Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL3281A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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NJW1302

NJW1302

C(in): 9pF. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Fun...
NJW1302
C(in): 9pF. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 75. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW3281. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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C(in): 9pF. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 75. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW3281. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2SC5359

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Corrente del collettore: 15...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1987. Diodo CE: sì
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264 ( 2-21F1A ). Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1987. Diodo CE: sì
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MJL3281A

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MJL3281A
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Transistor di potenza bipolare complementare. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL1302A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Transistor di potenza bipolare complementare. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL1302A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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C(in): 9pF. Costo): 6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: amplificatore di potenza audio. Data di produzione: 201452 201512. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) NJW1302. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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