Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 16.42€ | 20.03€ |
2 - 2 | 15.59€ | 19.02€ |
3 - 4 | 14.77€ | 18.02€ |
5 - 9 | 13.95€ | 17.02€ |
10 - 14 | 13.62€ | 16.62€ |
15 - 19 | 13.30€ | 16.23€ |
20 - 117 | 12.80€ | 15.62€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 16.42€ | 20.03€ |
2 - 2 | 15.59€ | 19.02€ |
3 - 4 | 14.77€ | 18.02€ |
5 - 9 | 13.95€ | 17.02€ |
10 - 14 | 13.62€ | 16.62€ |
15 - 19 | 13.30€ | 16.23€ |
20 - 117 | 12.80€ | 15.62€ |
MTY100N10E. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MTY100N10E. Tensione drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 96 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 372 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 10640pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 00:25.
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