Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.26€ | 0.32€ |
10 - 24 | 0.25€ | 0.31€ |
25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
50 - 99 | 0.22€ | 0.27€ |
100 - 249 | 0.11€ | 0.13€ |
250 - 499 | 0.10€ | 0.12€ |
500 - 8825 | 0.0967€ | 0.1180€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 9 | 0.26€ | 0.32€ |
10 - 24 | 0.25€ | 0.31€ |
25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
50 - 99 | 0.22€ | 0.27€ |
100 - 249 | 0.11€ | 0.13€ |
250 - 499 | 0.10€ | 0.12€ |
500 - 8825 | 0.0967€ | 0.1180€ |
MMBT5551LT1G. RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: G1. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 160V. Corrente collettore Ic [A], max.: 600mA. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 06:25.
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