Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MMBTA42

MMBTA42
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1 - 4 0.52€ 0.63€
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10 - 24 0.47€ 0.57€
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MMBTA42. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.5A. Nota: 1D. Marcatura sulla cassa: 1D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 240mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) MMBTA92. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.

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MPSA42

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Costo): 3pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno ...
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Costo): 3pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.5A. Equivalenti: KSP42. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (ammo pak). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 500mV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) MPSA92. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MPSA42
Costo): 3pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.5A. Equivalenti: KSP42. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (ammo pak). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 500mV. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) MPSA92. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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C(in): 11pF. Costo): 1.5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE minimo: 25. ...
SMBTA42
C(in): 11pF. Costo): 1.5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.5A. Marcatura sulla cassa: s1D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Funzione: amplificatore ad alta tensione, versione SMD di MPSA42. Quantità per scatola: 1. Nota: transistor complementare (coppia) SMBTA92. Spec info: serigrafia/codice SMD S1D. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
SMBTA42
C(in): 11pF. Costo): 1.5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 0.5A. Marcatura sulla cassa: s1D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 5V. Funzione: amplificatore ad alta tensione, versione SMD di MPSA42. Quantità per scatola: 1. Nota: transistor complementare (coppia) SMBTA92. Spec info: serigrafia/codice SMD S1D. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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