MMBT4401LT1G

MMBT4401LT1G. Costo): 80pF. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 0.6A. Ic(impulso): 0.9A. Marcatura sulla cassa: 2x. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tf(massimo): 30 ns. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/codice CMS 2X. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 14/01/2025, 13:25.