Transistor

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: per amplificatori audio HiFi e regolatori di commutazione. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 8V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE3055T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 2 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Base epitassiale . Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE2955T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: SOT-32. Custodia (standard JEDEC): TO-126. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE340. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L, VID.. Corrente del collettore: 0.5A. Equivalenti: KSE340. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 ( TO-225 ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 500V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.5A. Nota: custodia in plastica. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE350. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE340G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE350. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -300V. Corrente del collettore: -0.5A. Potenza: 20.8W. Alloggiamento: TO-126. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 240. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)

C(in): 7pF. Costo): 110pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.5A. Equivalenti: KSE350. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.5A. Nota: custodia in plastica. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Marcatura del produttore: MJE350G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 300V. Corrente collettore Ic [A], max.: 500mA. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -300V. Corrente del collettore: -0.5A. Potenza: 20W. Frequenza massima: 10MHz. Alloggiamento: TO-126. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Resistenza BE: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(min): 2us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: NPN. Tipo: transistor Darlington. Tensione collettore-emettitore VCEO: 400V. Corrente del collettore: 8A. Potenza: 100W. Alloggiamento: TO-220

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 450V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): TO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE5852G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 400V. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Dissipazione massima Ptot [W]: 80W. Famiglia di componenti: transistor PNP ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Tipo di transistor: transistor di potenza Darlington. Polarità: PNP. Tipo: transistor Darlington. Tensione collettore-emettitore VCEO: -80V. Corrente del collettore: -4A. Potenza: 40W. Frequenza massima: 1MHz. Alloggiamento: TO-126

Costo): 1000pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 1000pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE800G. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

RoHS: NINCS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-225. Custodia (standard JEDEC): TO-225. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: MJE803. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 4A. Dissipazione massima Ptot [W]: 40W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: NPN. Tensione collettore-emettitore VCEO: 1000V. Corrente del collettore: 5A. Potenza: 35W. Frequenza massima: 13MHz. Alloggiamento: TO-220-F

Costo): 80pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: (F). Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistenza BE: 50. Costo): 156pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 18. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.83V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Costo): 1.7pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: hFE 45(min). Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Corrente del collettore: 15A. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL3281A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 2.3pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: NF-L, TO-264. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Spec info: TO-3PBL. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 16A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO–3PBL. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL21194. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS