Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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MJE720

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MJE720. Costo): 1000pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 11:25.

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BD237

BD237

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. C...
BD237
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD237. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD238. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD237. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD238. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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BD135-16

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatori aud...
BD135-16
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatori audio e applicazioni. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatori audio e applicazioni. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BD135

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Corrente de...
BD135
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 1.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Corrente del collettore: 1.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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BD136-16

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Corrente del collettore: 1....
BD136-16
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VRRM: 1000V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semi...
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Corrente del...
BD246C-PMC
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Resistenza: 100 Ohms. Diametro: 15mm. Numero di canali: 1. Tipo di resistore: strato di carbonio. St...
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