Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V - BD246C-PMC

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V - BD246C-PMC
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Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V - BD246C-PMC. Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Spec info: transistor complementare (coppia) BD245C. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 20:25.

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Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 140V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-247. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 100. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP33C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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