Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BD136-16

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BD136-16. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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BD140-16

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Alloggiamento: TO-126. Marcatura del produttore: BD140-16. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: ...
BD140-16
Alloggiamento: TO-126. Marcatura del produttore: BD140-16. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -80V. Corrente del collettore: -1.5A. Potenza: 12.5W. Frequenza massima: 50MHz. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD139-16. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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Alloggiamento: TO-126. Marcatura del produttore: BD140-16. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Tipo di transistor: transistor di potenza. Polarità: PNP. Tensione collettore-emettitore VCEO: -80V. Corrente del collettore: -1.5A. Potenza: 12.5W. Frequenza massima: 50MHz. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD139-16. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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