Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BF245C

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BF245C. C(in): 4pF. Costo): 1.6pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 25mA. ID (min): 12mA. IGF: 10mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor ad effetto di campo. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 14:25.

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C(in): 1.7pF. Costo): 0.8pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: JFET. Funzione: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (massimo): 25mA. ID (min): 12mA. IGF: 10mA. Marcatura sulla cassa: 22*. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12mA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor ad effetto di campo con giunzione di silicio. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 7.8V. Tensione gate/source (spenta) min.: 3.2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: NINCS. Protezione GS: NINCS
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