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Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD139-16

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD139-16
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 9 0.61€ 0.74€
10 - 24 0.58€ 0.71€
25 - 49 0.56€ 0.68€
50 - 99 0.42€ 0.51€
100 - 249 0.41€ 0.50€
250 - 499 0.39€ 0.48€
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD139-16. Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronic. Quantità in stock aggiornata il 12/08/2025, 14:08.

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BD139-16-CDIL

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Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO...
BD139-16-CDIL
Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
BD139-16-CDIL
Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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