Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BD139-16-CDIL

BD139-16-CDIL
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10 - 24 0.25€ 0.31€
25 - 49 0.24€ 0.29€
50 - 99 0.23€ 0.28€
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BD139-16-CDIL. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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BD139-16

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RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Quantità...
BD139-16
RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BD139-16
RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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