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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD140-16

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD140-16. Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD140-16. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD139-16. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 15:25.

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor di potenza PNP. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD140. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Frequenza di taglio ft [MHz]: 250. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD139. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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