Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2N6488

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2N6488. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Funzione: Amplificatori e applicazioni di commutazione. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6491. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 14:25.

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BD911

BD911

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE...
BD911
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistenza B: transistor di potenza NPN. Resistenza BE: 100V. C(in): 15A. Costo): 90W. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD912. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BD911
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Vebo: 5V. Resistenza B: transistor di potenza NPN. Resistenza BE: 100V. C(in): 15A. Costo): 90W. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) BD912. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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2N6488-HTC

2N6488-HTC

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Corrente del collettore: 15A...
2N6488-HTC
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 90V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6491
2N6488-HTC
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 5 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 90V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2N6491
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