Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

BD237

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1 - 9 0.50€ 0.61€
10 - 24 0.47€ 0.57€
25 - 49 0.32€ 0.39€
50 - 99 0.30€ 0.37€
100 - 249 0.29€ 0.35€
250 - 499 0.28€ 0.34€
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BD237. RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD237. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Dissipazione massima Ptot [W]: 25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD238. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Material...
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Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD238. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BD237-CDIL
Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD238. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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