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MJE350-ST

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 4	0.76€	0.93€
5 - 9	0.72€	0.88€
10 - 24	0.69€	0.84€
25 - 49	0.65€	0.79€
50 - 99	0.63€	0.77€
100 - 101	0.62€	0.76€

Qnéuantità	U.P
1 - 4	0.76€	0.93€
5 - 9	0.72€	0.88€
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Set da 1

MJE350-ST. Costo): 30pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 0.5A. Nota: custodia in plastica. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-225. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJE340. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 10:25.

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0.12€

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2N5401

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. ...

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Quantità in magazzino : 24

IRFP140N

Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PowerMOSFET. ID (...

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2SC3281

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: NF-E HI-FI. Corrente del collettore: 15A. P...

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IRFP150

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3.16€ IVA incl.
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IRFP150N

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