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IRFP140N

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IRFP140N. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PowerMOSFET. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 0.052 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 44 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 100V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PowerMOSFET. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 31A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 131W. Rds sulla resistenza attiva: 0.51 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 100V
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Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: PowerMOSFET. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 31A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 131W. Rds sulla resistenza attiva: 0.51 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Voltaggio Vds(max): 100V
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C(in): 1700pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 180 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Nota: transistor complementare (coppia) IRFP9140. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Rds sulla resistenza attiva: 0.077 Ohms. RoHS: sì. Td(spento): 53 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Potenza: 180W. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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