Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IRFP140

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IRFP140. C(in): 1700pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 180 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Nota: transistor complementare (coppia) IRFP9140. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Rds sulla resistenza attiva: 0.077 Ohms. RoHS: sì. Td(spento): 53 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Potenza: 180W. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 23:25.

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C(in): 1900pF. Costo): 450pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 180 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Rds sulla resistenza attiva: 0.36 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS
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C(in): 2800pF. Costo): 1100pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 220 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. ID (T=100°C): 29A. ID (T=25°C): 41A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: IRFP150. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Rds sulla resistenza attiva: 0.55 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: HEXFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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